据报道，美国加州大学伯克利分校和台湾新竹纳米元件实验室的研究人员，利用纳米点创建的新电子记忆体技术，在写入和擦除数据方面比当今主流电荷存储内存产品要快10至100倍，打破了世界纪录。
该系统在一层非导电材料中嵌入离散的硅纳米点，每层跨度约3纳米。每个纳米点的功能相当于一个单独的存储位。为了控制内存操作，研究人员将这层材料用一层薄薄的金属覆盖，形成金属栅极，以控制晶体管的“开”和“关”状态。
该论文合著者之一、台湾新竹纳米元件实验室研究员谢佳民说：“金属栅极结构是向纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）内存发展道路上的一个主流技术。新系统使用众多的离散硅纳米点来进行电荷的存储和删除。这些电荷以一个快速和简单的方式进入和离开许多离散的纳米点。”
研究人员通过使用超短脉冲的绿色激光有选择性地激活金属栅极内存金属层周围的特定区域。由于激光的亚毫秒级的爆发非常简单而精确，研究人员因而能够准确地创建每个纳米点的开关。研究人员解释说，这种记忆存储方法相当强大，即使纳米区域中有单个电荷运行失败，几乎也不会影响到其他电荷，由此便能建立稳定而长期的数据存储平台。
研究人员说，用于相关设备的材料和工艺也与目前主流的集成电路技术兼容，其不仅能满足当前的CMOS工艺生产线，也可应用于其他先进设备的结构。显然，这种系统所具有的创纪录速度、低电压和超小尺寸的纳米点特性将对现行的电子计算机及其他电子设备的内存提出挑战。
作为电脑的重要组成部分，记忆体承担着存储记忆的重要职责。由于CPU的执行速度极快，而硬碟等外部储存媒体的读取速度较慢，为了不让“空等”，便由记忆体当作媒介，先将程式载入记忆体，以确保电脑能在最短时间内执行作业。科技发展日新月异，记忆体的存取速度也越来越快，当在各大领域已广为应用的纳米技术参与其中后，对其效能的提升更是无可比拟。这种新电子记忆体技术给我们带来的全新应用体验，绝对值得期待。